Gen4 400W GaN終級放大器C4H27F400AV 用于2496-2690MHz MBB應(yīng)用
發(fā)布時(shí)間:2023-11-21 15:44:59 瀏覽:1240
功率氮化鎵晶體管是一種高性能、高效率的功率放大器,被廣泛用于無線通信、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信和電力應(yīng)用等領(lǐng)域。它具有很高的開關(guān)速度、低損耗和較高的工作頻率范圍,適用于高頻率和高功率的應(yīng)用。
Ampleon產(chǎn)品型號(hào)為C4H27F400AV,是400W GaN 封裝非對稱Doherty 功率氮化鎵晶體管,適用于頻率為 2496 MHz 至 2690 MHz 的基站應(yīng)用。
C4H27F400AV具有以下特點(diǎn)和優(yōu)勢:
1、數(shù)字預(yù)失真能力極佳。
2、高效率
3、專門為寬帶操作而設(shè)計(jì)
4、較低的輸出電容可以提高Doherty應(yīng)用的性能。
5、內(nèi)部匹配,使用方便
應(yīng)用:
C4H27F400AV 射頻功率放大器,適用于2496 MHz至2690 MHz頻率范圍內(nèi)的基站和多載波應(yīng)用。
象征 | 參數(shù) | 條件 | 最小值 | 典型值/否 | 麥克斯 | 單位 |
---|---|---|---|---|---|---|
f范圍 | 頻率范圍 | 2496 | 2690 | 兆赫 | ||
PL(5dB) | 5 dB增益壓縮時(shí)的標(biāo)稱輸出功率 | 400 | W | |||
測試信號(hào):1-c W-CDMA | ||||||
VDS | 漏源電壓 | PL(AV)= 56.2 瓦 [0] | 48 | V | ||
Gp | 功率增益 | PL(AV)= 56.2 瓦 [0] | 13.2 | 14.5 | 分貝 | |
ηD | 排水效率 | PL(AV)= 56.2 瓦 [0] | 49 | 54 | % | |
RLin | 輸入回波損耗 | PL(AV)= 56.2 瓦 [0] | -14 | -8 | 分貝 | |
ACPR | 鄰道功率比 | PL(AV)= 56.2 瓦 [0] | -27 | -22 | dBc(分貝克) |
關(guān)于Ampleon
Ampleon是一家全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體公司,專注于設(shè)計(jì)、開發(fā)和制造功率氮化鎵晶體管(GaN HEMT)和功率晶體管(LDMOS)等高性能射頻(RF)和微波器件。作為一家獨(dú)立的公司,Ampleon擁有廣泛的產(chǎn)品組合,涵蓋各種應(yīng)用領(lǐng)域,包括通信、消費(fèi)電子、醫(yī)療、工業(yè)、航空航天和國防等。他們的產(chǎn)品提供高效、可靠的功率放大解決方案,幫助客戶實(shí)現(xiàn)更好的性能和效益。Ampleon在全球范圍內(nèi)擁有多個(gè)研發(fā)中心和制造工廠,以確保高質(zhì)量和快速交付。他們的技術(shù)團(tuán)隊(duì)不斷推動(dòng)創(chuàng)新,致力于開發(fā)新的技術(shù)和產(chǎn)品,以滿足市場的需求并應(yīng)對未來的挑戰(zhàn)。
立維創(chuàng)展專業(yè)代理Ampleon產(chǎn)品,擁有價(jià)格優(yōu)勢,歡迎咨詢。
推薦資訊
IGBT通常用于大功率逆變器和轉(zhuǎn)換器電路,需要大量的隔離柵極驅(qū)動(dòng)功率才能實(shí)現(xiàn)最佳開關(guān)。硅、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)也有類似的要求。本文將為您介紹與村田制作所推出的IGBT/MOSFET相匹配的小型隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的性能特點(diǎn)。
Microsemi 1N3826AUR-1是一款5.1V、5%容差的Zener二極管,采用DO-213AB封裝,具有1000毫瓦的功率和7歐姆的阻抗。其電氣特性包括3.3V至6.2V的Zener電壓、276至146歐姆的阻抗,以及3至100μA的最大反向漏電流。該二極管適用于-65°C至+175°C的工作和存儲(chǔ)溫度,且在超過125°C后每升高1°C功率降額20mW。
在線留言