Infineon英飛凌FF11MR12W2M1HP_B11碳化硅MOSFET模塊
發(fā)布時間:2024-03-05 11:33:44 瀏覽:1684
Infineon英飛凌 EasyDUAL 2B (易雙雙? 2B) CoolSiC? MOSFET系列晶體管半橋模塊是一款1200V的高性能產(chǎn)品,具有11 mΩ G1的極低電阻,集成了NTC溫度傳感器、PressFIT壓接接觸技術(shù)和預(yù)涂熱界面材料。
**特征描述**:
- 封裝高度為12mm,具備一流的封裝設(shè)計。
- 使用前沿的WBG材料(寬禁帶能帶材料)。
- 模塊內(nèi)部的雜散電感很低,有助于提高性能。
- 采用增強(qiáng)型CoolSiC? MOSFET Gen 1技術(shù)。
- 擴(kuò)大的柵極驅(qū)動電壓窗口。
- 柵源電壓范圍為+23 V 和 -10 V。
- 在高達(dá)175°C的過載條件下,具備出色的TVJOP(結(jié)溫鉗位)性能。
- 使用PressFIT壓接針進(jìn)行連接。
- 集成了NTC溫度傳感器。
**優(yōu)勢**:
- 出色的組件效率,能夠提供高效的工作表現(xiàn)。
- 具備系統(tǒng)成本優(yōu)勢,可降低整體開銷。
- 提高系統(tǒng)效率,使系統(tǒng)更加節(jié)能。
- 降低冷卻要求,減少散熱需求。
- 支持實現(xiàn)更高的工作頻率。
- 提高功率密度,實現(xiàn)更小體積的設(shè)計。
**應(yīng)用領(lǐng)域**:
- 不間斷電源(UPS)。
- 儲能系統(tǒng)。
- 電動汽車快速充電。
- 燃料電池DC/DC升壓轉(zhuǎn)換器。
- 太陽能系統(tǒng)解決方案。
參數(shù):
參數(shù) | FF11MR12W2M1HP_B11 |
---|---|
應(yīng)用 | 儲能系統(tǒng) ; 電動汽車充電器 ; UPS不間斷電源 ; 太陽的 |
配置 | 半橋 |
尺寸(長度) | 62.8 毫米 |
尺寸(寬度) | 48 毫米 |
特征 | PressFIT ; TIM |
Housing | Easy 2B |
資格 | 工業(yè) |
RDS(開)(@ Tj = 25°C) | 10.8毫安 |
相關(guān)推薦:
Infineon英飛凌集成DC-DC POL轉(zhuǎn)換器介紹及選型
Infineon OPTIREG? 汽車線性穩(wěn)壓器介紹及選型
Infineon英飛凌射頻變?nèi)荻O管和調(diào)諧器
更多Infineon英飛凌 相關(guān)產(chǎn)品信息可咨詢立維創(chuàng)展。
下一篇: TE泰科2329497-2超小型C形夾
推薦資訊
英飛凌高功率 MOSFET 精選產(chǎn)品組合提供簡單且具有價格競爭力的解決方案,這些解決方案應(yīng)用廣泛并且質(zhì)量可靠。通用高功率MOSFET產(chǎn)品組合涵蓋 500 V 至 900 V 的電壓等級以及 RDS(on) 值在 180 m? 到 3400 m? 之間的多種型號器件,產(chǎn)品組合支持 10 余種不同封裝,例如 TO-252、SOT-223 和TO-247、 TO-220(FullPAK、FullPAK 窄引線)等多種類型。
Intel EN5322QI PowerSoC是一款非隔離式PoL模塊,輸入電壓范圍2.4V至5.5V,輸出電壓范圍0.8V至3.3V(可變)以及0.6V(XFB相關(guān))。支持VID電壓輸出設(shè)置,最大輸出電流2A,在商業(yè)領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。具有遠(yuǎn)程開/關(guān)功能、過流保護(hù)、超溫保護(hù)、短路保護(hù)和低電壓鎖定保護(hù)等特性。
在線留言