英飛凌IPW90R120C3 N溝道功率MOSFET
發(fā)布時間:2024-03-29 09:33:05 瀏覽:1278
Infineon英飛凌IPW90R120C3是一款N溝道功率MOSFET,屬于CoolMOS? P7系列,是CoolMOS? C3的升級替代產(chǎn)品。
CoolMOS? C3是英飛凌于2001年推出的第三代CoolMOS?系列產(chǎn)品,是其產(chǎn)品組合的主打產(chǎn)品之一。
特點:
- 具有低導通電阻(RDS(on)* A)
- 在400V時具有低能量儲存輸出電容(Eoss)
- 低柵極電荷(Qg)
- 經(jīng)過實踐驗證的CoolMOS?技術質(zhì)量
優(yōu)勢:
- 高效率、高功率密度
- 超高成本/性能比
- 高可靠性
- 使用便捷
潛在應用:
- 消費類產(chǎn)品
- 計算機電源適配器
- 照明應用中的CoolMOS?功率晶體管
特性:
- 最低質(zhì)量指標RON x Qg
- 極限dv/dt額定
- 高峰值電流能力
- 符合JEDEC標準目標應用要求
- 無鉛鍍鉛;通過無鉛認證
- 所有全球研發(fā)中心中最優(yōu)秀的TO247
- 超低柵極電荷
CoolMOS? 900V專為以下應用而設計:
- 準諧振反激/正向拓撲結構
- PC Silverbox和消費者應用程序
- 工業(yè)開關模式電源(SMPS)
規(guī)格參數(shù):
Parametrics | IPW90R120C3 |
---|---|
ID (@25°C) max | 36 A |
ID max | 36 A |
IDpuls max | 96 A |
Mounting | THT |
Operating Temperature min max | -55 °C 150 °C |
Ptot max | 417 W |
Package | TO-247 |
Polarity | N |
QG (typ @10V) | 260 nC |
QG | 260 nC |
RDS (on) (@10V) max | 120 m? |
RDS (on) max | 120 m? |
Rth | 0.3 K/W |
RthJA max | 62 K/W |
RthJC max | 0.3 K/W |
Special Features | price/performance |
VDS max | 900 V |
VGS(th) min max | 3 V 2.5 V 3.5 V |
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