Vishay SI3495DV-T1-GE3 P通道MOSFET
發(fā)布時間:2024-06-18 09:12:31 瀏覽:1289
SI3495DV-T1-GE3 P通道MOSFET是一款由Vishay 公司生產(chǎn)的電子元件,屬于Si3495DV系列。這款MOSFET采用了TSOP-6封裝類型,具有8個引腳,并以其獨(dú)特的引腳排列方式(Dgume Number 1 73350)進(jìn)行標(biāo)識。其主要規(guī)格包括:工作電壓范圍為2.5 V至5.5 V,耐壓能力達(dá)到1000 V DC,電流容量為200mA/100mΩ,開關(guān)頻率為2 MHz,絕緣電阻最小值為1.0 kΩ/1000 V DC。此外,該MOSFET還具備其他典型的特性和應(yīng)用優(yōu)勢,滿足各種電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用的需求。

| ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA=25 ℃,unless otherwise noted | |||||
| Paramete | Symbol | 5 s | Steady State | Unit | |
| Drain-Source Voltage | Vps | -20 | V | ||
| Gate-Source Voltage | Vgs | ±5 | |||
| Continuous Drain Current (Tj=150 ℃)2 | TA=25 ℃ | lb | -7 | -5.3 | A |
| TA=85℃ | -3.6 | -3.9 | |||
| Pulsed Drain Curren | DM | -20 | |||
| Continuous Source Current (Diode Conduction) | ls | -1.7 | -0.9 | ||
| Maximum Power Dissipationa | TA=25℃ | Po | 2.0 | 1.1 | W |
| TA=85 ℃ | 1.0 | 0.6 | |||
| Operating Junction and Storage Temperature Range | TJT | -55 to 150 | ℃ | ||
| THERMAL RESISTANCE RATINGS | |||||
| Parameter | Symbol | Typical | Maximum | Unit | |
| Maximum Junction-to-Ambienta | t≤5s | RmIA | 45 | 62.5 | C/W |
| Steady State | 90 | 110 | |||
| Maximum Junction-to-Foot (Drain) | Steady State | RmJF | 25 | 30 | |
相關(guān)推薦:
Vishay威世VS-FC270SA20功率MOSFET模塊
更多vishay相關(guān)產(chǎn)品信息可咨詢立維創(chuàng)展。
推薦資訊
LDMOS晶體管已成為微波應(yīng)用的器件選擇。概述了近十年來3.6 GHz LDMOS技術(shù)的發(fā)展,并介紹了用于S波段雷達(dá)的LDMOS微波產(chǎn)品的射頻性能。
Delta的HCME1012(F)系列電感器在電子設(shè)計(jì)中發(fā)揮關(guān)鍵作用,適用于電源管理、信號過濾等領(lǐng)域。該系列提供70 nH至330 nH的電感值,低直流電阻(33 mΩ)、高飽和電流(178 A),工作溫度范圍寬(-40℃至125℃),精度±10%至±15%。其緊湊尺寸(10.0x6.0~6.2x12.0mm)和嚴(yán)格的質(zhì)量控制確保了在多種應(yīng)用中的高效率和可靠性。
在線留言
临城县| 灌云县| 尉氏县| 新兴县| 平罗县| 和硕县| 和顺县| 澄江县| 商丘市| 卢龙县| 什邡市| 西城区| 咸丰县| 米泉市| 长乐市| 宜州市| 白河县| 陵水| 达拉特旗| 郁南县| 沾益县| 岫岩| 右玉县| 集贤县| 陆川县| 益阳市| 广州市| 威信县| 黑水县| 加查县| 平山县| 临漳县| 商洛市| 汝南县| 龙口市| 兴隆县| 灵川县| 抚顺县| 水富县| 平和县| 彭阳县|