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1N6506是一款用于保護I/O端口的低電容隔離二極管陣列，具有以下特點：
密封陶瓷封裝。
隔離二極管以消除串擾電壓。
高擊穿電壓VBR > 60V。
低漏電流IR < 100nA。
低電容C < 4.0 pF。
開關速度小于20納秒。
提供符合MIL-PRF-19500/474標準的JAN、JANTX、JANTXV和JANS級別的篩選選項。
應用/優(yōu)勢：
高頻數據線。
RS-232 & RS-422接口網絡。
以太網：10 Base T。
計算機I/O端口。
局域網。
快速開關核心驅動器。
最大額定值：
反向擊穿電壓VBR：最小60V。
連續(xù)正向電流IO：300mA。
正向浪涌電流IFSM：500mA。
每個結的功率耗散：25°C時400mW。
每個封裝的功率耗散：25°C時600mW。
工作結溫范圍：-65至+150°C。
存儲溫度范圍：-65至+200°C。
14引腳陶瓷DIP封裝。
重量：大約2.05克。
